非均勻形核法

 非均勻形核法是根據(jù)LAMER 結(jié)晶過(guò)程理論，利用改性劑微粒在被包覆顆粒基體上的非均勻形核與生長(zhǎng)來(lái)形成包覆層。該方法可以控制包覆層的厚度及化學(xué)組分。

非均勻形核包覆中，改性劑的質(zhì)量濃度介于非均勻形核臨界濃度與臨界飽和濃度之間，所以非均勻形核法包覆是一種發(fā)生在非均勻形核臨界濃度與均相成核臨界濃度之間的沉淀包覆。

非均勻形核臨界濃度與均相形核臨界濃度之間形成無(wú)定形包覆層，而在均相形核臨界濃度與臨界飽和濃度之間形成的是一種多晶相包覆層，高于臨界飽和濃度則形成大量的沉淀物，不會(huì)對(duì)顆粒均相包覆。

無(wú)定形包覆與多晶相包覆相比，更容易實(shí)現(xiàn)包覆層的均勻、致密。